磁控溅射镀膜系统
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本系统为单室超高真空磁控溅射镀膜装置, 可用于开发单层及多层功能膜－各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等材料。
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主要技术指标
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真空指标
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极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.6x10-4 Pa；
停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；
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真空室
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真空室为圆筒型前开门结构，壁挂防污板，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。
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磁控靶
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永磁靶Φ50mm\Φ75mm,（强磁可选），射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；单独挡板
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样品
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可放置最大Φ100mm基片，加热最高温度 600°C±1°C，直流负偏压-200V或射频偏压
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真空获得及测量
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分子泵+机械泵，数显复合真空计（皮拉尼规+电离规）
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配套电源
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直流电源、射频电源、直流脉冲电源
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气路
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三路进气，质量流量计控制
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控制系统
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手动或自动
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工作压力控制系统
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手动或自动
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石英晶振膜厚仪
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可选
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水冷机组
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可选
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进样室
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可选
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工信部网站备案：辽ICP备12007173号-1 公司地址：沈阳市大东区联合路252号
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