PLD激光镀膜系统

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谈球吧体育综合用途:

用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等;

主要技术指标
真空指标
极限真空度:≤6.67x10-6 Pa (经烘烤除气后);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa;
激光入射口到地面的距离为1200mm;
真空室
球型真空室尺寸Ф450mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;
旋转靶台组件
每次可以装四块靶材,靶材尺寸:Φ60mm和Φ25mm; 
每块靶材可实现自转,转速5~60转/分,连续可调,由电机驱动磁力耦合机构控制;靶位公转换位机构,由电机驱动磁耦合机构控制;靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽,每次只有一个靶材露出溅射成膜,以避免靶材之间的交叉污染;
抗氧化基片加热台
基片尺寸:可放置φ2″基片;基片加热最高温度 1000℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,采用抗氧化材料(SIC)作加热器;
基片可连续回转,转速5~60转/分,电机驱动磁耦合机构控制;
基片与靶台之间距离30~90mm可调,由腔外手动波纹管调节机构控制
激光束扫描控制系统
电动
真空获得及测量
分子泵+机械泵,数显复合真空计(皮拉尼规+电离规)
气路
一路进气;气体质量流量控制器。
控制系统 
手动或自动
RHEED
可选,电子加速电压:0-30KV
水冷机组
可选
准分子激光器
可选,波长: 248nm;频率: 20HZ;脉冲能量: 400 m」
质谱仪
可选,1-100质量数
进样室
可选